高压钽电容TCSP1D106M8R介绍：

制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: 钽质电容器-SMD聚合物

电容: 10 uF

电压额定值 DC: 20 VDC

容差: 20 %

外壳代码 - in: 0805

外壳代码 - mm: 2012

高度: 1.2 mm

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 125 C

高压钽电容TCSP1D106M8R特性:

1）新的底部电极配置导致更大的紧凑性，更小的外形和更高的电容。

2）紧凑，薄型，超高电容有助于实现更小巧，更薄的功能集。

3）非常适合在空间有限的电源线上消除噪声。

4）环保的无卤产品。

高压钽电容TCSP1D106M8R打标规格：

下面列出的指示应在电容器表面上给出。

（1）极性：极性应以□表示。 （在阳极侧）

（2）额定直流电压：电压代码如下表所示。

（3）电容：电容代码如下表所示。

高压钽电容TCSP1D106M8R包装规格：

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